EUV将使用等离子和激光制造下一代芯片

微芯片无处不在，很容易忽略它们的真正杰出之处。像温控器或唱歌贺卡这样的普通物品，包含数百万个微观结构，这些微观结构是有史以来最杰出的制造工艺之一。

自1977年左右以来，当前的流程一直在发展，其工作方式类似于投影仪。激光通过掩膜发出的光，就像芯片的设计图一样，然后将掩膜投射到涂在硅板上的光敏化学品上。结果几乎就像曝光照片一样：光将芯片的图像传输到硅上，在硅上可以将其直接蚀刻到金属中。这个过程称为光刻，随着它变得越来越先进，晶体管变得越来越小，越来越快并且更加节能。

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制造芯片的特定机制已经非常复杂，需要原子级的精度和某些有史以来最精确的制造工具，但是当前的方法有其局限性。这个过程已经使用了将近15年，而且已经用尽了。现在，芯片上晶体管的部分尺寸约为7至10纳米，远小于用于制造它们的193nm紫外线。

如果我们要继续制造更好，更快的芯片，制造商需要重新设计工艺，而新工艺是极紫外光刻或EUV。多年来，公司一直致力于开发芯片制造的下一步，而我们刚刚看到第一批使用EUV制成的设备进入市场。

要了解有关此过程的更多信息，我去了英特尔的两家制造工厂，他们正在开发EUV，亲自看一下机器，并了解有关这种极端制造的更多信息。

EUV仍是一项革命性的飞跃，仍将芯片蓝图投射到硅上，但是它使用波长极小的光来做到这一点，这对于创建微小的特征更好。

在这些微小的波长下，几乎所有的东西都吸收紫外线，而典型的激光无法产生紫外线。该过程更加奇特，涉及液态金属和高能等离子体。技术挑战巨大，但回报是我们设备速度和能源效率的飞跃。