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编号：P024930H13C05A01 [查询]
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胡先生 电子、微电子行业 碳材料传感器研发主管 |
参选文章： 个人简介：| 出生日期： | 1985年 |
| 婚姻状况： | 已婚 |
| 教育背景： | 1、2014年毕业于清华大学 电子科学与技术 学历：博士 |
| 2、2007年毕业于哈尔滨工业大学 应用物理学 学历：本科 | |
| 工作经验： | 5年工作经验 |
| 个人评价： | 具有扎实的理论和实验物理功底，近十年基于新型半导体材料的传感器研发经验，熟悉半导体、传感器等行业的技术发展趋势和主要研究机构，善于判断行业发展的瓶颈技术问题。 |
| 工作经历1： | 2014年3月至今 在 ※※※ 公司 任 碳材料传感器研发主管 |
| 主要职责： | 电子技术/半导体/集成电路。工作描述： 拓展碳材料（金刚石和石墨烯）传感器件的新业务，研究碳材料不同应用市场的发展趋势，着重发展医用X射线探测器件、微波电子器件、氢气和生物传感器业务，并带领团队，开展相应的技术研发和外部资源协调； 取得成绩包括： 1.调研了金刚石基医用高灵敏度X射线探测器的性能优势和应用前景，设计了光电导型探测器的器件结构，明确了探测器对金刚石材料特性和器件工艺提出的要求，从而指导了器件制造：找到了离子束刻蚀技术提供单位，带领研发团队，将离子束刻蚀技术引入到了单晶金刚石表面预处理工艺，利用MPCVD实现了低粗糙度低杂质浓度的单晶金刚石薄膜，进而在其上制作了共面电极。 2.面向微波器件的应用，研制了表面覆氢的导电单晶金刚石薄膜，并与用户单位达成了合作，共同承担了微波器件研制课题，为其提供了高质量单晶金刚石薄膜。 3.面向高灵敏度氢气和生物传感器应用，探索了金刚石转化法制备高质量电子器件级石墨烯材料。 2 |
| 工作经历2： | 2007年8月--2014年1月 在 （6年 5个月） 任 声表面波传感器研究助理 |
| 主要职责： | 电子技术/半导体/集成电路|工作描述：面向低成本高灵敏度压力、气体和生物等传感应用，设计了氮化铝基叉指型声表面波传感器；在郝智彪教授的指导下，带领两位师弟，采用从美国SVTA公司进口的半导体材料高阶制备技术（分子束外延），发展了铝化和表面微裂抑制等技术，在硅衬底上实现了单一极性原子级平整的氮化铝薄膜（材料质量处于国际先进水平）；在此基础上制作了中心频率为357MHz和714MHz的叉指型声表面波传感器件，其阻带抑制比可达24.5dB。 |
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