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存储市场崩盘在即?


  《职业经理人周刊》   猎头班长v微博   微信:AirPnP   2018/9/10
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三星、SK海力士在全球的存储市场拥有很高的市场份额,近期却宣布推迟存储业产能扩容计划,业内人士称系因客户需求放缓导致DRAM内存及NAND闪存价格在2019年上半年下滑。这其中释放出哪些信号?

本文内容由半导体行业观察整理自网络,原文标题《存储市场崩盘在即?》。

据CNBC等外媒报道,大摩分析师Shawn Kim 6日指出,存储市况近几周来有恶化迹象,DRAM需求逐渐趋疲,库存、定价压力与日俱增,而NAND型快闪存储的供给则委实太多。

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Kim还提到,根据他最近向半导体业务、买家取得的讯息,PC、行动装置与资料中心这三大应用产品的需求动能,过去两周都明显趋缓,这恐怕会让第三季报价一路走弱。另外,由于需求降温的关系,三星电子(Samsung Electronics)、SK 海力士 (SK Hynix )的库存也愈堆愈多。

听闻此消息,美光在日前一口气重挫9.87%、收44.65美元,创2月22日来收盘低,跌幅居费半30支成分股之冠。

美光过去五日的股价走势

Baird分析师Tristan Gerra才刚在9月4日发表研究报告指出,智慧型手机的买气动能难以提振,NAND型快闪存储的供给过剩情况最近日益恶化。Gerra说,预估下半年智慧机的出货表现将相对疲弱,苹果 ( Apple Inc. )与中国智慧机供应链前景都不太妙。

Evercore ISI分析师CJ Muse 4日报告预测,2019年上半,NAND flash价格将重摔11~13%,他认为目前的存储定价周期与2014年末到2015年初情况相似,当时也出现存储装置需求大跌的状况。分析师估计,明年上半为止,NAND flash价格将大跌10%以上。

另外,根据FactSet纪录,晶圆检测设备制造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )财务长Bren Higgins 6日在花旗全球科技大会上也指出,由于DRAM市况的关系,六周前该公司原本预期10- 12月市况应会大幅好转,但如今他认为,市况好转幅度恐会略低于先前预估。他并表示,届时出货量应会持平、或出现个位数的减幅,逊于原先预估的持平或个位数增幅。

科磊6日闻讯大跌9.72%、收107.28美元,创7月30日来收盘低。费城半导体指6日终场则重挫2.67%(37.48点)、收1,366.35点,创8月23日以来收盘低,为6月25日以来最大单日跌幅。

科磊过去五天的股价走势

美国其他半导体设备股同步下挫。半导体测试控制仪器商MKS Instruments, Inc.重挫8.21%、收85美元,创2017年9月8日来收盘低,跌幅在费半30支成分股中仅次于美光。同为费城成分股的半导体蚀刻机台制造商科林研发公司( Lam Research Corp. ),6日终场也下挫6.97%、收160.05美元,创2017年8月25日来收盘低。

科林过去五天的股价走势

三星、SK海力士推迟扩产,抑制价格下跌?

过去两年是存储产业的好年景,根据Gartner的统计显示,去年前十的半导体厂商中,其中有一半是来自存储厂商,前五名的厂商中们也有三个是做存储的,且这些内存厂商的增长率较之其他行业的厂商,有明显的领先优势。三星更是凭借存储价格的高涨,取代霸占半导体营收排名榜首二十多年的英特尔,成为新的半导体霸主。

全球半导体厂商2017年营收排名

Gartner统计显示,2017年存储市场营收增加将近500亿美元,市场规模达1,300亿美元,较2016年成长61.8%。2017年光是三星的存储营收就增加近200亿美元。DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,2017年DRAM价格上涨超过四成,同期NAND的价格涨幅也近四成。

在今年一季度和二季度,虽然很多分析师多方不看好存储的走势,但是DRAM依然还是持续上涨,三星、SK海力士和美光等厂商也都先后宣布了扩产计划。但进入最近,局面似乎有所转变。

在上月中,三星宣布,将原订本季完成每月增产3万片DRAM计划,决定延至今年底,为DRAM价格形成有力支撑。随着三星新产能扩充脚步延后、供给获得节制,一般预料,DRAM价格在今年11月前都将持稳不坠,台系DRAM大厂南亚科、华邦电今年营收也将同步缴出创历史新高佳绩。

三星未透露延后此次扩产时间的原因。业界分析,三星的财报当中,存储已是集团获利最大来源,占集团总获利比重高达78%,其中超过七成来自DRAM,在DRAM供需结构中,原本的供给缺口在各家去瓶颈填补下,逐渐缩小,导致近期市况开始松动。

据悉,三星考量若此时再开出每月3万片产能,将改变原本DRAM市场供不应求局面,恐进一步变成供给过剩,挑动市场敏感神经,导致DRAM价格转跌。

三星延后DRAM增产计划,也有法人圈认为进入1x/1y奈米微缩程后,技术难度提高,在良率未明显改善下,干脆延后。不过从多方角度分析,三星不愿破坏好不容易建立的DRAM获利模式,进而冲击集团整体获利,应该是最大关键。

存储业者分析,三星目前月产能逾40万片,每月增产3万片DRAM,等于让全球DRAM产能增3%,虽然下半年是DRAM备货旺季,市场通路端和电子应用端大厂却会等待三星扩建案再出手,导致第2季末市场买气趋于观望。

Digitimes援引业内人士的消息称三星、SK Hynix都打算推迟产能扩容计划,因为客户需求放缓导致DRAM内存及NAND闪存价格在2019年上半年下滑。

来到NAND Flash方面,尽管第三季度是传统需求旺季,但今年全球市场供应仍然很充足,64层、72层堆叠3D闪存产能持续提升,但由于笔记本、智能手机市场都相当饱和,需求增长有限。同时,渠道供应链内堆积了大量NAND闪存芯片,进一步导致价格下滑,预计合约价会在今年第三季度环比下降10-15%,超出预期,第四季度则会再降15%。

消息人士称,行业领导者三星之前主要为自家的SSD及其他产品供应3D NAND闪存,今年Q3季度开始对外提供存储芯片。消息人士称三星也在放慢3D NAND闪存产能扩张的计划,新产能不可能在2019年上半年上线。

由于三星和SK海力士对全球的存储市场拥有很高的市场份额。他们的这些决定释放出很强的信号:

据市场调查机构IHS MarkIt的数据显示,2017年三季度,在全球动态随机存储器(Dram)领域,三星电子的市场份额占到了44.5%,排名第一。紧随其后的是同样来自韩国的SK 海力士公司,其市场份额为27.9%,这两家韩国公司的产品占据世界Dram市场超过七成的份额,比第二季度有小幅增加。排名第三至第五的依次为,美国的美光科技(22.9%)、中国台湾的南亚科技(2.2%)以及华邦电子(0.8%)。

NAND Flash方面,该领域排名前五的巨头中,三星电子以39%的市场份稳居冠军,比上季度的市场份额增加0.8%。排名第二至第五的依次为日本的东芝、美国的西部数据、美国的美光科技以及韩国的SK 海力士。三星和SK海力士几乎占据世界的Nand市场的半壁江山。

对于中国存储来说,是福是祸?

价格下跌,三星等厂商停止扩产护盘,对于谋求突破的中国存储厂商来说,是福是祸?

众所周知,过去两年,存储的大幅度涨价,中国成为了最直接的“受害者”,因为缺少关键的话事权,无论是供货还是利润方面,都没有很大的商量余地。吃够了亏的中国半导体产业唯加大投入在DRAM和NAND FLASH的建设中去,并且取得了不小的进展。

在上个月于重庆举办的“中国国际智能产业博览会”上,紫光集团董事长赵伟国透露,紫光集团会在2018 年底量产32 层64G 的NAND Flash 快闪存储,在2019 年量产64 层128G 的NAND Flash 快闪存储,并同步研发128 层256G 的NAND Flash 快闪存储。

紫光集团联席总裁刁石京也强调,紫光会逐渐朝 64 层的3D NAND 技术研发迈进,且导入 Xtacking 技术,在国际上,存储产业发展非常长的时间,我们一直在思考如何带来创新,Xtacking 技术就是最好的展现。紫光今年将量产 32 层的 3D NAND 芯片,明年将量产 64 层 3D NAND,与国际大厂的技术实力再度缩短。

他们还提出了全新的突破性 3D NAND 架构 Xtacking 技术,其输入输出速度有望与 DDR4 的 I/O 速度一较高下,且与传统的 3D NAND 架构相较,Xtacking 技术可通过将外围电路置于存储单元之上,实现更高的存储密度,以及利用存储单元和外围电路的独立加工优势,缩短 3D NAND 产品的上市时间。

为了进一步推进存储国产化,长江存储的全资子公司武汉新芯集成电路制造有限公司在上个月底(以下简称武汉新芯)召开二期扩产项目现场推进会。二期扩产项目规划总投资17.8亿美元,建设自主代码型闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台。

来到DRAM方面,国产存储三大势力之一的合肥长鑫在七月中下旬正式投片,产品规格为8Gb LPDDR4,这是国产DRAM产业的一个里程碑。据合肥长鑫的王宁国之前的披露,合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成,设备也开始安装。根据计划,长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月。从2020年开始,公司则开始规划二厂,2021年则完成17nn的研发。

合肥长鑫的重要时间节点

兆易创新的创办人朱一明更是全身心地投入到合肥长鑫的项目中,共同推动国产DRAM产业的更进一步。

众所周知,2017年10月,兆易创新宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目。这次全身心的投入,是继他们在Nor Flash和MCU领域突破后,再上一个新台阶的支柱。

来到福建晋华方面,该使用12英寸晶圆制造技术制造DRAM。消息人士表示,生产线的建设早于原计划完成,生产线的一期工程将在三季度投入生产。消息人士表示,晋华公司原定的内存试生产时间是今年九月份,但可能会提前。根据早前的约定,晋华1期拟投入53亿美元,建设晶圆产线、产业链配套等,预计2018年9月试产,并达到月产6万片的规模。

在三星和SK海力士的这些扩产与不扩产的策略中,国产存储会面临怎样的挑战?让我们拭目以待!

(来源:半导体行业观察)


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